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中電流イオン注入装置
  ウェーハ径300mm/28nmノードの微細化プロセスに対応したデバイス生産ラインでの量産が開始されるとともに、最先端を走るメーカーでは、15nmノードも視野に入れた半導体製造装置の選定、ウェーハ径450mmへの取組みも始まっています。
このように微細化されたMOS FETの特性は、チャネル、ドレイン等の不純物分布に極めて敏感に影響され、イオン注入においても、エネルギー、ドーズ、注入角度など、多くのパラメータを高い精度で制御することが不可欠となります。急峻なハローやレトログレードウェルを精度良く形成するために、重イオン(In、Sb)注入の必要性も増すとともに、撮像素子への適用では、メタルコンタミネーションの極小化が求められています。
このような要求に応えるため、住友重機械イオンテクノロジー株式会社では、広範囲なパラメータを精度良く制御可能な、使いやすく信頼性の高い中電流イオン注入装置を提供しています。


MC3-II/GP MC3-II
NV-MC3


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